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IRFH4251D
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IRFH4251D

生産終了
25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package
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IRFH4251D
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    188 A, 64 A
  • IDpuls (最大)
    750 A, 120 A
  • Ptot (最大)
    63 W, 31 W
  • Qgd
    15 nC, 3.8 nC
  • QG
    10 nC, 44 nC
  • RDS (on) (最大)
    3.2 mΩ, 0.85 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4.6 mΩ, 1.1 mΩ
  • RthJA (最大)
    34 K/W, 35 K/W
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • Tj (最小)
    -55 °C, -55 °C
  • VDS (最大)
    25 V, 25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N

OPN
IRFH4251DTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TISON-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TISON-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
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利点

  • RoHS Compliant
  • Qualified Industrial
  • Qualified MSL1
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Control and Synchronous MOSFETs in one package
  • Low Charge Control MOSFET
  • Low Rdson Synchronous MOSFET
  • Intrinsic Schottky diode with Low Forward Voltage on Q2
  • FastIRFET™

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ