IRFB7730
アクティブ
RoHS対応

IRFB7730

データシート
パッケージ
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在庫あり

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IRFB7730
IRFB7730
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    195 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • Qgd
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    271 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.4 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    75 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.19
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB7730PBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10 V gate-drive voltage (called normal level)
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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