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生産終了
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RoHS準拠

IRFB4228PBF

生産終了
150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRFB4228PBF
IRFB4228PBF
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    83 A
  • Ptot max
    330 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    15 mΩ
  • RthJC max
    0.45 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    30 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.37
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 極性
    N
OPN
IRFB4228PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Industry standard through-hole package
  • High-current rating
  • JEDEC standard Product qualification
  • 100kHz Silicon switching applications
  • Softer body-diode vs previous generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High-current carry capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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