IRFB3206
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRFB3206

60V Single N-Channel IR MOSFET™ in a TO-220AB package
データシート

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IRFB3206
IRFB3206
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    210 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • Qgd
    35 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.61
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB3206PBFXKMA1 IRFB3206PBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
TO220
パッケージ名 N/A TO220
梱包サイズ 1000 1000
梱包形態 TUBE TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA NA
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Increased current carrying capability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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