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IRFB3006

60V Single N-Channel IR MOSFET™ in a TO-220AB package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRFB3006
IRFB3006
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    270 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    60 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.22, 1.22
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB3006PBF IRFB3006PBFXKMA1
製品ステータス active active
インフィニオンパッケージ
TO220
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 N/A
包装サイズ 1000 1000
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA NA
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Increased current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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