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IRF9956
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRF9956

生産終了
30V Dual N-Channel Power MOSFET in a SO-8 package
パッケージ

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IRF9956
IRF9956

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    3.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6.9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    100 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    200 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (最小)
    1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
IRF9956TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Industry standard surface-mount power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout allows for drop-in replacement

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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