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生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IRF9956

生産終了
30V Dual N-Channel Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF9956
IRF9956
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    3.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    200 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
IRF9956TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Industry standard surface-mount power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout allows for drop-in replacement

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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