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生産終了
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RoHS準拠

IRF8301M

生産終了
30V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MT package
データシート
パッケージ

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IRF8301M
IRF8301M
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    192 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.8 W
  • Ptot (最大)
    89 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @4.5V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.4 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MT-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF8301MTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
DIRECTFET
パッケージ名 MT
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
DIRECTFET
パッケージ名 MT
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • High-current rating
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) inductance package
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High current carrying capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact form factor
  • High efficiency
  • Environmentally friendly

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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