IRF7820
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRF7820

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRF7820
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    3.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    8.7 nC
  • QG (typ @10V)
    29 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    78 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.5
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF7820TRPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,PH,TH
ウェハ製造国
TW
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,PH,TH
ウェハ製造国
TW
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ドキュメント

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パートナー ソリューション

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