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IRF7805Z
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IRF7805Z

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30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRF7805Z
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    6.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    8.7 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF7805ZTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Ultra-Low Gate Impedance

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ