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鉛フリー

IRF7303

IR MOSFET 30 V in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF7303
IRF7303
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    5.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    5.3 nC
  • QG (typ @10V)
    16.7 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    50 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    80 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (最小)
    1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.19
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 極性
    N+N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRF7303TRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 KHz
  • Industry standard surface-mount power package
  • Capable of being wave-soldered

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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