IRF6716M
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IRF6716M

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 39 amperes optimized with low on resistance.
複数のOPNを利用可能

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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    180 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.6 W
  • Ptot (最大)
    78 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    39 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.6 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.4 V~2.4 V
  • VGS(th)
    1.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF6716MTRPBFXTMA1 IRF6716MTRPBF
製品ステータス not for new design discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DirectFET (M) DirectFET MX
梱包サイズ 4800 4800
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1 N/A
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
MX
-
ウェハ製造国
GB,MY,TW
-

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DirectFET (M)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
GB,MY,TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DirectFET MX
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国 -
ウェハ製造国 -

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ドキュメント

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