新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IRF6716M

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 39 amperes optimized with low on resistance.
データシート
パッケージ

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IRF6716M
IRF6716M
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    180 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Ptot max
    78 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    39 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.6 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MX-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF6716MTRPBFXTMA1 IRF6716MTRPBF
製品ステータス not for new design discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M) DirectFET MX
包装サイズ 4800 4800
包装形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
水分レベル 1 1
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET MX
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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