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IRF6674

60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MX package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRF6674
IRF6674
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    67 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Ptot max
    89 W
  • Qgd
    8.3 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11 mΩ
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    DirectFET (M)
  • Micro-stencil
    IRF66MZ-25
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.69
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Mounting
    SMD
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IRF6674TRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (M)
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • High-current rating
  • Dual-side cooling capability
  • Low package height of 0.7mm
  • Low parasitic (1-2 nH) pkg inductance
  • 100% lead-free (No RoHS exemption)

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • High current carrying capability
  • Optimum thermal performance
  • Compact form factor
  • High efficiency
  • Environmentally friendly

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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