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IRF60R217
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IRF60R217

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60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DPAK package
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IRF60R217
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    58 A
  • Ptot (最大)
    83 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9.9 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.8 K/W, 175 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.44
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF60R217
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,IL
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,IL
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface mount package
  • Silicon optimized for switching <100kHz

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High performance, low-frequency

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ