IRF3808S
新規設計非推奨
RoHS対応

IRF3808S

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IRF3808S
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    106 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    50 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    7 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Special Features
    Wide SOA
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    75 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IRF3808STRLPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
CN,US
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 800
梱包形態 TAPE & REEL LEFT
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
CN,US
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利点

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ