新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRF3805S

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRF3805S
IRF3805S
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    210 A
  • Ptot max
    130 W
  • Qgd
    72 nC
  • QG (typ @10V)
    190 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.3 mΩ
  • RthJC max
    0.45 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.85
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF3805STRLPBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10 V gate-drive voltage (called normal level)
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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