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IRF200P223
生産終了
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IRF200P223

生産終了
200V Single N-Channel StrongIRFET™ in a TO-247AC package

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IRF200P223
IRF200P223


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • Ptot (最大)
    313 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.48 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRF200P223
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

アプリケーション

ドキュメント

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