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IRF200P223
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRF200P223

生産終了
200V Single N-Channel StrongIRFET™ in a TO-247AC package
パッケージ

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IRF200P223
IRF200P223

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • Ptot (最大)
    313 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.48 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    2.62
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF200P223
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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