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生産終了
生産終了
RoHS準拠

IRF200P222

生産終了
200V Single N-Channel StrongIRFET™ in a TO-247AC package
パッケージ

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IRF200P222
IRF200P222

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    182 A
  • Ptot (最大)
    556 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    135 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.27 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • バッテリー電圧
    96-140 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    4.16
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF200P222
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
  • Lead-Free, RoHS Compliant

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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