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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

IRF135S203

生産終了
135V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a D2PAK (TO-263) package
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パッケージ
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IRF135S203
IRF135S203
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    129 A
  • Ptot max
    441 W
  • Qgd
    43 nC
  • QG (typ @10V)
    180 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.4 mΩ
  • RthJC max
    0.34 K/W, 175 K/W
  • VDS max
    135 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    1.28
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRF135S203
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL RIGHT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
D2PAK
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL RIGHT
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s latest 135 V StrongIRFET™ power MOSFET devices offer low RDS(on), robustness, reliablility and cost effectiveness for battery powered applications.

機能

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • Increased current carrying capability

 

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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