IPB073N15N5
Active and preferred
RoHS対応

IPB073N15N5

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パッケージ
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IPB073N15N5
IPB073N15N5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    3600 pF
  • Coss
    900 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    114 A
  • IDpuls (最大)
    456 A
  • Ptot (最大)
    214 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    49 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    7.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.7 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • バッテリー電圧
    72-96 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.43
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB073N15N5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications, offering a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25% compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency.

特長

  • Firm FOMgd and FOMoss with lower RDS(on)
  • Lower output charge
  • Ultra-low reverse recovery charge
  • Increased commutation ruggedness
  • Higher switching frequency possible

利点

  • Reduced paralleling
  • Higher power density designs
  • More rugged products
  • System cost reduction
  • Improved EMI behavior
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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