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RoHS準拠
鉛フリー

IR2106S

600 V high-side and low-side gate driver IC
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IR2106S
IR2106S
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    200 ns
  • 伝搬遅延オン
    220 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    0.2 A
  • 出力電流 (Sink)
    0.35 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IR2106STRPBF IR2106SPBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
SOIC 8N
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 2500 3800
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 2 2
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SOIC 8N
パッケージ名 -
包装サイズ 3800
包装形態 TUBE
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EiceDRIVER™ 600 V high and low-side gate driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs . Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.For the newest version with our SOI technology we recommend 2ED2106S06F , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • 3.3, 5, & 15 V logic input compati.
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Lower di/dt gate driver
  • Outputs in phase with inputs

図

Circuit_Diagramm_IR2106
Circuit_Diagramm_IR2106
Circuit_Diagramm_IR2106 Circuit_Diagramm_IR2106 Circuit_Diagramm_IR2106
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ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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