Active and preferred
RoHS準拠

IQDH88N06LM5CG

OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
EA.
在庫あり

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IQDH88N06LM5CG
IQDH88N06LM5CG
EA.

Product details

  • ID (@25°C) max
    447 A
  • IDpuls max
    1788 A
  • QG (typ @4.5V)
    76 nC
  • QG (typ @10V)
    152 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.86 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.24 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.77
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate
OPN
IQDH88N06LM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The power MOSFET IQDH88N06LM5CG 60 V comes in a PQFN 5x6 mm2 Source-Down package. The part offers the industry’s lowest RDS(ON) of 0.88 mΩ combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like class-D audio, high-power chargers, SMPS, telecom, and intermediate bus conversion in high-performance computing, like hyper-scale datacenters and AI-server farms.

機能

  • OptiMOS™ 60 V with outstanding FOMs
  • Source-Down package with thermal
  • Source-Down with maximized chip ratio
  • Source-Down in Center-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Center-Gate for optimal parallelization
  • Low RDS(on) on 5x6 mm² PCB
  • Enhanced thermal management
  • Minimal parasitics, optimal switching
  • Industry standard package

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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