Active and preferred
RoHS準拠

IQD016N08NM5CGSC

OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IQD016N08NM5CGSC
IQD016N08NM5CGSC
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    323 A
  • QG (typ @10V)
    106 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.57 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.2 V ～ 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQD016N08NM5CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
The power MOSFET IQD016N08NM5CGSC comes with a low RDS(on) of 1,57 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Center-Gate footprint is optimized for parallelization. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the overmolded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

特長

  • Cutting edge 80 V silicon technology
  • Outstanding FOMs
  • Improved thermal performance
  • Ultra-low parasitics
  • Maximized chip/package ratio
  • Center-Gate footprint
  • Industry-standard package

利点

  • Best switching performance
  • Minimized conduction losses
  • Fast switching
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Less device paralleling required
  • Lowest RDS(on) on a 5x6 footprint
  • Easy thermal management

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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