IPW60R120C7
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IPW60R120C7

CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET offers best-in-class performance in PFC and LLC topologies
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IPW60R120C7
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    19 A
  • ID (最大)
    19 A
  • IDpuls (最大)
    66 A
  • Ptot (最大)
    92 W
  • QG
    34 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    120 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    120 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.35 K/W
  • Rth
    1.35 K/W
  • Special Features
    Highest performance
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TO247
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.95
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IPW60R120C7XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,DE
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,DE
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Infineon’s 600 V and 650 V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET families are designed to achieve record-level efficiency performance, with reduced losses over the whole load range in hard-switching applications.

特長

  • Reduced switching losses
  • Excellent figure of merit Q G*R DS(on)
  • Increased switching frequency
  • Best R (on)*A in the market
  • Rugged body diode

利点

  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • reduced cooling
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

アプリケーション

EV充電
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ