Active and preferred
RoHS準拠

IPT026N10N5

OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in TO-Leadless (TOLL) package with 60% space reduction for telecom and low voltage drives applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPT026N10N5
IPT026N10N5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    202 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    202 A
  • IDpuls max
    808 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    96 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.6 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.4
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPT026N10N5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s OptiMOS™ 5 100V n-channel power MOSFET IPT026N10N5 in TO-Leadless (TOLL) package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as POL (point-of-load), forklift, light electric vehicles (LEV) and telecom power supply. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TOLL is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • 44% reduction in output capacitance
  • 43% RDS(on) reduction from previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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