Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPQC60R010S7

Infineon's 600 V SJ MOSFET in bottom-side cooled package minimizes conduction losses and enables standardized cooling and mounting of the device
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPQC60R010S7
IPQC60R010S7
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    50 A
  • IDpuls max
    801 A
  • Ptot max
    694 W
  • QG (typ @10V)
    318 nC
  • QG
    318 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    9 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK bottom-side cooled
  • 予算価格€/ 1k
    11.2
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
推奨
OPN
IPQC60R010S7XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 600 V CoolMOS™ S7 SJ MOSFET family is optimized for low conduction losses and features the lowest RDS(on) in the market when it comes to high-voltage SJ MOSFETs in a compact SMD package. It comes with an unprecedented RDS(on) x price figure of merit and is a perfect fit for solid-state circuit breakers and relays, PLCs, battery protection, and active bridge rectification in high-power power supplies. The bottom-side cooled package minimizes conduction losses and enables standardized cooling and mounting of the device.

機能

  • Compact bottom-side-cooled QDPAK package
  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability
  • Kelvin-source for high current switching

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increases energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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