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IPP80N04S4-04
生産終了
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RoHS対応

IPP80N04S4-04

生産終了
40 V, N-Ch, 4.2 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2
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IPP80N04S4-04
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製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • IDpuls (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    71 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    43 nC
  • QG (typ @10V)
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.2 mΩ
  • RthJC (最大)
    2.1 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.84
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive

OPN
IPP80N04S404AKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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特長

  • N-channel - Enhancement mode
  • AEC qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized total gate charge
  • Smaller driver output stages

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ