IPI80N04S4-03
Active and preferred
RoHS対応

IPI80N04S4-03

40 V, N-Ch, 3.7 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2
個.
在庫あり

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IPI80N04S4-03
IPI80N04S4-03
個.

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany, Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) (最大)
    80 A
  • IDpuls (最大)
    320 A
  • Ptot (最大)
    94 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    66 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.6 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    I2PAK (PG-TO262-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.65
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T2
  • 極性
    N
  • 発売年
    2010
  • 認定
    Automotive
OPN
IPI80N04S403AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimal total gate charge
  • Smaller drivers output stages

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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