IPP339N20NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPP339N20NM6

OptiMOS™ 6 MOSFET 200V in TO-220
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPP339N20NM6
IPP339N20NM6
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    39 A
  • QG (typ @10V)
    15.9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    33.9 mΩ
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.81
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP339N20NM6AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IPP339N20NM6 OptiMOS™ 6 200 V is setting the new technology standard. It addresses the need for high power density, high efficiency, and high reliability. The OptiMOS™ 6 200 V technology was designed for optimal performance in motor drive applications such as LEV, forklifts, and drones. The new OptiMOS™ 6 features industry leading RDS(on), improved switching and current sharing capability, enabling high power density, less paralleling, and excellent EMI performance. The improved switching behavior makes the OptiMOS™ 6 200 V family an ideal choice for any type of switching applications such as telecom, server, solar, or audio. Additionally, the combination of wide SOA and industry-leading RDS(on) result in a perfect fit for static switching applications such as BMS.

特長

  • 42 % lower RDS(on)
  • 89% lower Qrr(typ)
  • More than 3 times softer diode
  • Improved capacitance linearity
  • Improved SOA
  • Pb-free plating and RoHS compliant

利点

  • Low conduction losses
  • Low switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Less paralleling required
  • Better current sharing when paralleling
  • Environmentally friendly

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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