IPP039N10N5
Active and preferred
RoHS対応

IPP039N10N5

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPP039N10N5
IPP039N10N5
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • IDpuls (最大)
    400 A
  • Ptot (最大)
    188 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.9 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.8 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.37
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP039N10N5AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in a TO-220 package ideal for high frequency switching and synchronous rectification applications.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Output capacitance reduction up to 44 %
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }