Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPP023N10N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
複数のパッケージが利用可能
EA.

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Product details

  • Ciss
    12000 pF
  • Coss
    1810 pF
  • ID (@25°C) max
    120 A
  • IDpuls max
    480 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.3 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Rth
    0.4 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.92, 1.92
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    TMT
  • 極性
    N
OPN
IPP023N10N5XKSA1 IPP023N10N5AKSA1
製品ステータス active and preferred active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A TO220
包装サイズ 500 500
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA NA
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter.

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • 44% reduction in output capacitance
  • 43% RDS(on) reduction from previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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