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IPN70R750P7S
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IPN70R750P7S

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Combining excellent performance and ease-of-use
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IPN70R750P7S
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製品仕様情報

  • Ciss
    306 pF
  • Coss
    5.1 pF
  • ID (最大)
    6.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.5 A
  • IDpuls (最大)
    15.4 A
  • Ptot (最大)
    6.7 W
  • Qgd
    2.9 nC
  • QG
    8.3 nC
  • QG (typ @10V)
    8.3 nC
  • RDS (on) (最大)
    750 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    750 mΩ
  • RthJA (最大)
    160 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • VDS (最大)
    700 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.2
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

OPN
IPN70R750P7SATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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The 700 V CoolMOS™ P7 N-channel superjunction (SJ) MOSFET series has been developed to serve the forthcoming trends in flyback topologies. The technology addresses the low-power SMPS market, mainly focusing on mobile phone chargers and notebook adapters, but suitable for power supplies used within lighting applications, home entertainment (TV, game consoles, or audio), as well as auxiliary power supplies.

特長

  • Enabling lower MOSFET chip temperature
  • Leading to higher e iciency comparedto previous technologies
  • Allowing improved form factors and slim designs
  • Drop-in replacement for DPAK atcompetitive cost
  • Space savings in designs with lowpower dissipation; enabling smaller form factors
  • Comparable thermal behavior to DPAK
  • Attractive price position for high performance technology

アプリケーション

バッテリー蓄電 (BESS)
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ