アクティブ
RoHS準拠

IPN50R1K4CE

Cost-effective drop-in replacement for DPAK
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPN50R1K4CE
IPN50R1K4CE
EA.
データシート

Product details

  • ID max
    3.1 A
  • ID (@25°C) max
    3.1 A
  • IDpuls max
    8.8 A
  • Ptot max
    5 W
  • Qgd
    4.6 nC
  • QG
    8.2 nC
  • QG (typ @10V)
    8.2 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1260 mΩ
  • RthJA max
    75 K/W
  • VDS max
    500 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SOT-223-3
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.12
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPN50R1K4CEATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-SOT223-3
パッケージ名 SOT-223-3
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.

機能

  • CoolMOS™ CE series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Low cost DPak alternative

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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