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IPDD60R055CFD7
生産終了
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鉛フリー

IPDD60R055CFD7

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Infineon’s answer to resonant high power topologies
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IPDD60R055CFD7
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    52 A
  • ID (@25°C) (最大)
    52 A
  • IDpuls (最大)
    129 A
  • Ptot (最大)
    329 W
  • QG
    67 nC
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) (最大)
    55 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    55 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    D-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    2.63
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPDD60R055CFD7XTMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-10
パッケージ名 D-DPAK
梱包サイズ 1700
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-10
パッケージ名 D-DPAK
梱包サイズ 1700
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
  • Enables high power density
  • Enables better control
  • Enables perfect electrical loops

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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