Active and preferred
RoHS準拠

IPD50N06S4L-08

60 V, N-Ch, 7.8 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2
EA.
在庫あり

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IPD50N06S4L-08
IPD50N06S4L-08
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • IDpuls max
    200 A
  • Ptot max
    71 W
  • QG (typ @10V) max
    64 nC
  • QG (typ @10V)
    49 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.8 mΩ
  • RthJC max
    2.1 K/W
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.36
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-T2
  • 極性
    N
  • 発売年
    2009
  • 認定
    Automotive
OPN
IPD50N06S4L08ATMA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

機能

  • N-channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • Ultra low RDS(on)
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • High thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimal total gate charge
  • Smaller drivers output stages

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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