Active and preferred
RoHS準拠

IPD047N03LF2S

StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPD047N03LF2S
IPD047N03LF2S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    71 A
  • QG (typ @4.5V)
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    7.3 mΩ
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPD047N03LF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 -
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon’s StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V technology features a best-in-class RDS(on) of 4.7 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency.Compared to the previous technology, the IPD047N03LF2S achieves up to 40% RDS(on) improvement while having up to 60% FOM enhancement and excellent robustness.

機能

  • General purpose products
  • Excellent robustness
  • Superior price/performance ratio
  • Broad availability at distributors
  • Standard packages and pin-out
  • High manufacturing & supply standards

利点

  • Addresses a wide range of applications
  • Reliable performance
  • High quality and competitive pricing
  • Convenient selection & purchasing
  • Ease of design-in
  • Simplified product services

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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