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IPB65R310CFD
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IPB65R310CFD

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IPB65R310CFD
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データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    11.4 A
  • ID (@25°C) (最大)
    11.4 A
  • IDpuls (最大)
    34.4 A
  • Ptot (最大)
    104.2 W
  • QG
    41 nC
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • RDS (on) (最大)
    310 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    310 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.2 K/W
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    D2PAK, D2PAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.84
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
IPB65R310CFDATMA1 IPB65R310CFDATMA2
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK D2PAK
梱包サイズ 1000 1000
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1 1
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7 650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

特長

  • 650 V with integrated fast body diode
  • Low voltage overshoot in hard switching
  • Significant Q G reduction
  • Tighter R DS(on)max to R DS(on)typ window
  • Easy to design-in

利点

  • Low switching losses due to low Q rr
  • Self limiting di/dt and dv/dt
  • Low Qoss
  • Reduced turn on and turn of delay times
  • Outstanding CoolMOS™ quality
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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