IPB60R120C7

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CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET offers best-in-class performance in PFC and LLC topologies
データシート

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IPB60R120C7
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    19 A
  • IDpuls (最大)
    66 A
  • Ptot (最大)
    92 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG
    34 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    120 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    120 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.357 K/W
  • Rth
    1.357 K/W
  • Special Features
    highest performance
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s 600 V and 650 V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET families are designed to achieve record-level efficiency performance, with reduced losses over the whole load range in hard-switching applications.

特長

  • Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss
  • Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)
  • Increased switching frequency
  • Best R (on)*A in the world
  • Rugged body diode

利点

  • Enables increasing switching frequency without loss in efficiency
  • Measure showing key parameter for light load and full load efficiency
  • Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components
  • Smaller packages for same R DS(on)
  • Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ