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生産終了
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RoHS準拠

IPB049N08N5

生産終了
Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK package
データシート
パッケージ

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IPB049N08N5
IPB049N08N5
データシート

Product details

  • Ciss
    2900 pF
  • Coss
    490 pF
  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.9 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.76
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IPB049N08N5ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB049N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapters .

機能

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance reduction of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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