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IPA041N04N G
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IPA041N04N G
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製品仕様情報

  • Ciss
    3400 pF
  • Coss
    980 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    70 A
  • IDpuls (最大)
    280 A
  • Ptot (最大)
    35 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.1 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    4.3 K/W
  • Rth
    4.3 K/W
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.45
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IPA041N04NGXKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 FullPAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
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New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • 15% lower R than alternative devices
  • 31% FOM over similar devices
  • Integrated Schottky-like diode
  • RoHS compliant - halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Highest system efficiency
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • System cost reduction
  • Very low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ