IMZA75R060M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMZA75R060M2H

CoolSiC™ MOSFET 750 V G2、TO-247-4パッケージ、60 mΩ
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IMZA75R060M2H
IMZA75R060M2H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    28 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMZA75R060M2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
インフィニオンの堅牢な第2世代SiCトレンチ技術に基づいて構築された750 V CoolSiC™ MOSFETは、比類のない性能、優れた信頼性、そして抜群の使いやすさを実現します。これにより、コスト効率が高く、非常に効率的で、簡素化された設計が可能になり、増え続けるシステムと市場のニーズを満たすことができます。

特長

  • 100%アバランシェ耐性試験済み
  • クラス最高のRDS(on) x Qfr
  • 優れたRDS(on) x QossとRDS(on) x QG
  • 独自の低Crss/Cissと高VGS(th
  • .XTによるパッケージ相互接続の改善
  • ドライバソースピン利用可能

利点

  • 高い堅牢性と信頼性
  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • 高スイッチング周波数化
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • クラス最高の放熱性
  • スイッチング損失の低減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ