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IMW65R048M1H

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMW65R048M1H
IMW65R048M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    100 A
  • Ptot max
    125 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    48 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TO247
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IMW65R048M1HXKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMW65R048M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. This SiC MOSFET comes in a TO247 3-pin package with a cost-effective performance.

機能

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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