Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMW65R050M2H

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TO-247-4 package, 50 mΩ
データシート
パッケージ

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IMW65R050M2H
IMW65R050M2H
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    38 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    62 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    50 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.99 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    TO247
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMW65R050M2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 50 mΩ G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

特長

  • Excellent figures of merit (FOMs)
  • Best in class RDS(on)
  • High robustness and overall quality
  • Flexible driving voltage range
  • Support for unipolar driving (VGSoff=0)
  • Best immunity against turn-on effects
  • Improved package interconnect with .XT

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability
  • Enables top efficiency and power density
  • Ease-of-use
  • Full compatibility with existing vendors
  • Allows designs without fan or heatsink

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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