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RoHS準拠
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IKW50N65F5

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パッケージ
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IKW50N65F5
IKW50N65F5
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.16 mJ
  • Eon
    0.49 mJ
  • IC (@ 100°) max
    56 A
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    16.5 A
  • Ptot max
    305 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    550 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    175 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    15 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    60 kHz to 120 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW50N65F5FKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coefficient
  • Temperature stability of Vf

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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