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IKP15N65F5
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IKP15N65F5

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IKP15N65F5
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製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.04 mJ
  • Eon
    0.13 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    18 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    30 A
  • ICpuls (最大)
    45 A
  • IF (最大)
    20 A
  • IFpuls (最大)
    45 A
  • Irrm
    8 A
  • Ptot (最大)
    105 W
  • QGate
    38 nC
  • Qrr
    190 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    39 Ω
  • td(off)
    150 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    16 ns
  • tr
    7 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 60-120 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    60 kHz～120 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKP15N65F5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
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High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family:
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coefficient
  • Temperature stability of Vf

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ