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生産終了
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RoHS準拠

IGO60R070D1

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Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGO60R070D1 for ultimate efficiency and reliability
データシート
パッケージ
ボード

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IGO60R070D1
IGO60R070D1
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    31 A
  • IDpuls (@25°C) max
    60 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG
    5.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    55 mΩ
  • VBRDSS max
    600 V
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    1.2 V
  • パッケージ
    DSO-20-85
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGO60R070D1
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    Industrial
OPN
IGO60R070D1AUMA2
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-20
パッケージ名 N/A
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-20
パッケージ名 -
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IGO60R070D1 enables more compact topologies and increased efficiency at higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the leaded SMD DSO-20-85 package, it is designed for optimal power dissipation required in modern data centers, server , telecom , renewables, and numerous other applications.

機能

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Low dynamic RDS(on)
  • Bottom-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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