Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDFW60C65D1

650 V silicon power diode in TO-247 advanced isolation package
データシート
パッケージ

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IDFW60C65D1
IDFW60C65D1
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    240 A
  • IF
    60 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    17.6 A
  • Ptot max
    100 W
  • Qrr
    0.76 µC
  • RthJC max
    1.5 K/W
  • trr
    112 ns
  • VF
    1.45 V
  • コンフィギュレーション
    Common Cathode
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度
    -40 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス max
    650 V
推奨
OPN
IDFW60C65D1XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSIP247-3
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Rapid 1 switching 650 V, 60 A emitter controlled silicon power diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.

機能

  • 650V emitter controlled technology
  • Temperature stable behaviour
  • Low forward voltage (VF)
  • Low reverse recovery charge (Qrr)
  • Low reverse recovery current (Irrm)
  • 2500 VRMSelectrical isolation
  • 100% tested isolated mounted surface
  • Pb-free plating: RoHS compliant

利点

  • Easy paralleling
  • No need of isolation/thermal grease
  • Reduction in assembling time
  • eliminated faults of isolation foil
  • Up to 10°C lower Tc
  • Up to 20% Iout increase
  • Manufacturing process control

図

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ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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