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Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IDC52D75H8A

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インフィニオンの最先端Si IGBT技術のパワーを解き放つ
データシート

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IDC52D75H8A
IDC52D75H8A
データシート

Product details

  • IFn
    320 A
  • Tvj [°C]
    -40 to 185
  • VF (Tvj=185°C @200A)
    1.45 V
  • VRRM
    750 V
推奨
OPN
IDC52D75H8AX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
当社の最新のEDT3デバイスは、750 Vおよび1200 Vの電圧クラスを提供し、低コストで高性能な車両のメインインバーター アプリケーション向けに前例のない出力電流を実現します。特定のアプリケーション要件に合わせたカスタム電源モジュールを設計および製造できる当社の Si IGBT およびダイオード ソリューションは、自動車環境を変革し、性能、効率、信頼性を新たな高みに引き上げます。

機能

  • 最高クラスの電流密度
  • 470 V VDCシステムに適しています
  • 最高接合部温度185°C
  • 高速スイッチング速度
  • 非常に低いスイッチング損失
  • 非常にタイトなパラメーター分布
  • AEC-Q101

利点

  • 自動車要件に最適
  • 750 V と 1200 V クラスで利用可能
  • カスタマイズ開発 (オンデマンド)
  • 損失を減、最大値を増Tvj
  • モジュールの小型化による費用対効果
  • システムレベルでのアンペアあたりのコストが低い
  • モジュールの小型化による費用対効果
  • システムレベルでアンペアあたりのコストが低い
  • 並列化の労力とコストが削減
  • 高い信頼性と品質
当座の代替

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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