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RoHS準拠
鉛フリー

IDC52D75H8A

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Unleashing the Power of Infineon's Cutting-Edge Si IGBT Technology
データシート

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IDC52D75H8A
IDC52D75H8A
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Product details

  • IFn
    320 A
  • Tvj [°C]
    -40 to 185
  • VF (Tvj=185°C @200A)
    1.45 V
  • VRRM
    750 V
推奨
OPN
IDC52D75H8AX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Our latest EDT3 devices offer voltage classes of 750 V and 1200 V, delivering unprecedented output current for main inverter applications in low-cost and high-performance vehicles. With the ability to design and manufacture custom power modules tailored to specific application requirements, our Si IGBT & Diode solutions are set to transform the automotive landscape, elevating performance, efficiency, and reliability to new heights.

機能

  • Best-in-class current density
  • Suitable for 470 V VDC systems
  • Maximum junction temperature of 185 °C
  • High switching speed
  • Very low switching losses
  • Very tight parameter distribution
  • Product validation acc. to AEC-Q101

利点

  • Ideal for automotive requirements
  • Available in 750 V and 1200 V class
  • Customized development (on demand)
  • Decreased losses and increased max. Tvj
  • Cost benefit due to module shrink
  • Low costs per Ampere on system level
  • Less parallelization effort and costs
  • High reliability and quality
  • Drop-in replacement

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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