新規
Active and preferred
RoHS準拠

IAUZN10S7N078

新規
100 V, N-Ch, 7.8 mΩ max, Automotive Power MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUZN10S7N078
IAUZN10S7N078
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2040
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    22.2 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.8 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PG-TSDSON-8
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUZN10S7N078ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IAUZN10S7N078 is an automotive MOSFET built with Infineon’s leading edge, power semiconductor technology; OptiMOS™ 7 100 V. This product is offered a lead-less 3x3mm2 SMD package. The S3O8 package utilizes a copper clip to offer lower package resistance and inductance as compared to traditional gullwing lead packages. It is designed specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications.

機能

  • Industry’s best on-resistance, RDS(on)
  • Fast switching times (turn on/off)
  • ID current 50% better than prior gen.
  • Tight threshold voltage, VGS(th), range
  • Small 3x3mm2 SMD package
  • High avalanche current capability
  • High SOA ruggedness
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • Package is listed with JEDEC

利点

  • Minimized conduction losses
  • Superior switching performance
  • Small footprint; could save PCB area
  • Helps achieve high power density
  • Well-suited for parallel placement
  • Quality and robustness for automotive
  • Potential for second source supplier

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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