IAUT200N08S5N023
Active and preferred
RoHS対応

IAUT200N08S5N023

80 V, N-Ch, 2.3 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS™-5
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IAUT200N08S5N023
IAUT200N08S5N023
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2039
  • ID (@25°C) (最大)
    200 A
  • IDpuls (最大)
    800 A
  • Ptot (最大)
    200 mW
  • QG (typ @10V) (最大)
    110 nC
  • QG (typ @10V)
    85 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.3 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.7 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (PG-HSOF-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™5
  • 極性
    N
  • 発売年
    2018
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IAUT200N08S5N023ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2039
発売開始日 01/2018
組立国
MY,TH
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2039
発売開始日 01/2018
組立国
MY,TH
ウェハ製造国
AT,DE
個.
在庫あり

特長

  • N-channel - Enhancement mode
  • AEC qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green product (RoHS compliant)
  • Ultra low RDS(on)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ