新規設計は非推奨
RoHS準拠

IAUC45N04S6N070H

40 V, N-Ch, 7.0 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 HB (5x6), OptiMOS™ 6
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IAUC45N04S6N070H
IAUC45N04S6N070H
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2029
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG (typ @10V)
    9 nC
  • QG (typ @10V) max
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-6
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2020
  • 認定
    Automotive
OPN
IAUC45N04S6N070HATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8 HB
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8 HB
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The dual SSO8 5x6 mm² package is perfect for single loads. For bridge applications, routing with a dual MOSFET is complex and may require a larger PCB area, with its current ratings limited to 20A. The integrated half-bridge reduces PCB area by providing enhanced routing for bridge applications. It is designed based on optimized OptiMOS™6 technology, offering a wide RDS(ON) range from 3.0 mΩ to 7.0 mΩ and an increased current rating of 60A.

機能

  • Integrated half-bridge SSO8 (5x6)
  • 5x6 mm² reduced footprint
  • Optimized layout for B6 apps
  • Optimized switching & power losses
  • Package JEDEC listed
  • Cost efficiency for low & mid power drive
  • Cu-clip soldered
  • PPAP Capable Device

利点

  • Enhanced routing for bridge applications results
  • Optimized for OptiMOS™6
  • RDS(ON) range 3.0 mΩ - 7.0 mΩ
  • Increased DS current rating of 60A

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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